Uma tela para ser colada na pele

Redação do Site Inovação Tecnológica 

A tela é fina e flexível, adaptando-se aos movimentos naturais da pele humana.
[Imagem: Kibum Kang et al. - 10.1038/nature14417]

Tela para a pele

Os dispositivos eletrônicos "vestíveis" - que incluem as roupas eletrônicas e aparelhos de colar sobre a pele - já contam com sensores e circuitos bastante complexos, mas nada melhor do que uma tela para mostrar resultados.

Uma equipe da Universidade de Cornell, nos EUA, acaba de criar uma tela talhada justamente para esses equipamentos finos e flexíveis.

É uma tela de matriz ativa feita com LEDs orgânicos, ou OLEDs, que é totalmente flexível e construída sobre um polímero biocompatível.

Kibum Kang e seus colegas começaram construindo o circuito de controle, uma matriz de transistores de película fina sobre um filme bidimensional de molibdenita (dissulfeto de molibdênio, ou MoS2) que foi então transferido para uma superfície de PET (tereftalato de polietileno) e óxido de alumínio (Al2O3).

A seguir, foram depositados os píxeis OLEDs vermelhos, verdes e azuis, apresentando excelentes propriedades, tanto no quesito brilho e consumo de energia, quanto mecânicas.

Telas atomicamente finas

O protótipo tem 324 píxeis distribuídos em uma tela de duas polegadas, uma resolução ainda baixa em comparação com as telas tradicionais, mas mais do que suficiente para mostrar resultados simples de monitoramento da saúde, por exemplo. Além disso, a tela é capaz de mostrar a paleta de cores completa.

A molibdenita tem saído na frente do grafeno em termos de aplicações práticas.
[Imagem: Kibum Kang et al. - 10.1038/nature14417]

De fato, a eficiência do circuito - tanto dos transistores de molibdenita usados no controle, quanto dos píxeis de OLED - alcançou resultados tão bons que a equipe acredita ter lançado as bases para uma nova classe de telas finas e flexíveis que poderão ter amplo uso.

"Com o uso desses filmes, demonstramos com sucesso a fabricação em lote na escala de wafer de transistores de efeito de campo de monocamada MoS2 de alto desempenho, com um rendimento do dispositivo de 99%, e a fabricação em vários níveis de transistores empilhados verticalmente para circuitos tridimensionais. Nosso trabalho é um passo em direção à realização de circuitos integrados atomicamente finos," escreveu a equipe.

Bibliografia:

Artigo: High-mobility three-atom-thick semiconducting films with wafer-scale homogeneity
Autores: Kibum Kang, Saien Xie, Lujie Huang, Yimo Han, Pinshane Y. Huang, Kin Fai Mak, Cheol-Joo Kim, David Muller, Jiwoong Park
Revista: Nature
Vol.: 520, pages 656-660
DOI: 10.1038/nature14417