Redação do Site Inovação Tecnológica
Os experimentos dos componentes reconfiguráveis foram feitos no material ferroelétrico manganeto de érbio (ErMnO3).[Imagem: Megan Holtz/Dennis Meier/Emily Falco]
Hardware atualizável
Que tal atualizar, em vez de substituir, circuitos eletrônicos obsoletos no interior dos chips?
Se esta tecnologia já estivesse disponível, enfrentar o recém-descoberto e desastroso bug em todos os processadores de computador do mundo seria uma tarefa bem mais rápida e mais barata.
A boa notícia é que hardwares verdadeiramente reconfiguráveisnão são mais assunto de ficção, conforme demonstraram Julia Mundy e seus colegas da Universidade de Cornell, nos EUA.
Julia construiu seu circuito reconfigurável tirando proveito das propriedades eletrônicas incomuns das paredes de domínio, as interfaces entre materiais com diferentes tipos de ordenamento elétrico.
Aplicar uma tensão elétrica a uma interface dessas permite alterar o ordenamento elétrico, fazendo com que as paredes do domínio se movam.
Isto significa que as paredes podem ser construídas, movidas e apagadas sob demanda, permitindo usá-las para construir os componentes dos circuitos eletrônicos reconfiguráveis.
Usando nanofios, a equipe conseguiu criar "canais" para o fluxo de elétrons medindo apenas um nanômetro de diâmetro, o que significa que a tecnologia atinge patamares de miniaturização bem maiores do que a alcançada pelo estágio atual da tecnologia de silício.
A aplicação de uma tensão altera reversivelmente o canal de isolante para condutor, o que pode ser usado como os 0s e 1s de uma memória ou as chaves básicas de um transístor
A equipe promete a seguir a construção de um transístor no qual a porta será a própria parede de domínio.
Bibliografia:
Functional electronic inversion layers at ferroelectric domain walls
Julia A. Mundy, J. Schaab, Y. Kumagai, A. Cano, M. Stengel, I. P. Krug, D. M. Gottlob, H. Doganay, M. E. Holtz, R. Held, Z. Yan, E. Bourret, C. M. Schneider, D. G. Schlom, D. A. Muller, R. Ramesh, N. A. Spaldin, D. Meier
Nature Materials
Vol.: 16, 622
DOI: 10.1038/NMAT4878
Functional electronic inversion layers at ferroelectric domain walls
Julia A. Mundy, J. Schaab, Y. Kumagai, A. Cano, M. Stengel, I. P. Krug, D. M. Gottlob, H. Doganay, M. E. Holtz, R. Held, Z. Yan, E. Bourret, C. M. Schneider, D. G. Schlom, D. A. Muller, R. Ramesh, N. A. Spaldin, D. Meier
Nature Materials
Vol.: 16, 622
DOI: 10.1038/NMAT4878
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